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光电二极管与光电倍增管的比较比光电倍增管更加优越的特性

   光电二极管(Photo-Diode)和普通二极管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件,而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。
光电二极管与光电倍增管的比较比光电倍增管更加优越的特性:
  1.更好的线性
  2.从190纳米到1100纳米(硅)的响应光谱范围
  3.低噪声
  4.被加固以适应机械挤压
  5.价格低廉
  6.结实但自重较轻
  7.使用寿命长
  8.无需高压电源即可工作
缺点:
  1.面积太小
  2.没有内部增益(雪崩光电二极管除外,而且即使是雪崩光电二极管,其内部增益也通常只有102–103 ,远低于光电倍增管的108数量级
  3.总的来说灵敏度更低
  4.只有具有特殊设计的产品才能对光子进行技术
  5.许多产品设计的响应时间更慢 
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